В Co₁/₄TaSe₂ нашли признаки альтермагнетизма для быстрой памяти

Физики из Университета Центральной Флориды обнаружили в слоистом материале Co₁/₄TaSe₂ признаки альтермагнетизма — состояния, сочетающего свойства ферромагнетиков и антиферромагнетиков. Методом ARPES они зафиксировали расщепление электронных зон с противоположной спиновой поляризацией, что открывает путь к спинтронике, сверхбыстрой памяти и энергоэффективной электронике.

• Материал Co₁/₄TaSe₂ относится к дихалькогенидам переходных металлов с магнитными атомами кобальта между слоями
• ARPES показал расщепление энергетических зон с противоположной спиновой поляризацией
• Альтермагнетики не создают паразитных магнитных полей, в отличие от ферромагнетиков
• Результаты опубликованы в Nature Communications 20 августа 2026 года