Оксид гафния оказался истинным антиферроэлектриком: стабилен при 850 °C

Учёные Университета Небраски—Линкольна подтвердили, что оксид гафния (гафния) обладает собственной антиферроэлектрической структурой. Плёнки сохраняли свойство при толщине до 0,6 нм и температуре 850 °C, что открывает путь к компактным конденсаторам, памяти и твердотельному охлаждению.

• Антиферроэлектрическая структура гафнии сохранялась при толщине плёнки до 0,6 нм
• Материал выдержал нагрев до 1562 °F (850 °C)
• Подтверждены двойная петля гистерезиса и антипараллельные диполи
• Гафния не содержит свинца, в отличие от типичных антиферроэлектриков