Everspin показала MRAM-память с интерфейсом CXL: запись до 100 раз быстрее NAND

Everspin Technologies продемонстрировала первую, по её словам, платформу MRAM с подключением через Compute Express Link. Система создаёт энергонезависимый уровень памяти между обычной DRAM и NAND-накопителями, а скорость записи до 100 раз выше, чем у NAND.

• Everspin заявила о первой платформе MRAM с интерфейсом CXL
• Память встаёт между DRAM и NAND как энергонезависимый уровень
• Запись до 100 раз быстрее, чем у NAND-накопителей