GaN защищает рынок быстрой зарядки, SiC наступает на потребительскую электронику

В 2026 году граница между нитридом галлия (GaN) и карбидом кремния (SiC) размывается: дешёвый SiC всё активнее проникает в потребительскую электронику, где раньше доминировал GaN. GaN-производители в ответ целятся в сегмент питания для ИИ-инфраструктуры.

• SiC вторгается в нишу GaN в потребительской электронике в 2026 году
• GaN сохраняет позиции в быстрой зарядке и переходит в ИИ-питание
• Традиционное разделение рынков третьего поколения полупроводников размывается