Samsung прошла квалификацию 12-слойной HBM4E у Nvidia

По данным Hankyung, Samsung завершила квалификационные испытания 12-слойной памяти HBM4E у Nvidia и крупных гиперскейлеров в конце сентября. Samsung не подтвердила отчёт; объёмы поставок и сроки массового производства пока неизвестны.

• HBM4E: 48 ГБ на стек, 14 Гбит/с на пин с масштабированием до 16 Гбит/с
• Пропускная способность до 3,6 ТБ/с — на 20% выше поколения HBM4
• В основе 1c DRAM и 4-нм логический кристалл Samsung Foundry
• Samsung начала отправлять образцы HBM4E заказчикам в мае