CXMT: выход HBM около 25%, YMTC поможет с гибридным бондингом DRAM

По оценке Корейской ассоциации полупроводниковой промышленности, разрыв Китая и Кореи в памяти сократился до ~3 лет по HBM, ~2 лет по DRAM и ~1 года по NAND. CXMT вышла на массовое производство LPDDR6, но выход её HBM3 остаётся около 25% из-за проблем с TSV и многослойной упаковкой. Для стекирования DRAM компания планирует использовать технологию Cu-Cu гибридного бондинга XStacking от YMTC.

• Разрыв Китая и Кореи: ~3 года по HBM, ~2 года по DRAM, ~1 год по NAND
• CXMT начала массовое производство LPDDR6, Xiaomi среди первых клиентов
• Выход HBM3 у CXMT оценивается около 25%
• Для стека DRAM применят Cu-Cu бондинг XStacking от YMTC