Учёные научились управлять ростом 2D-полупроводников для будущих чипов

Исследователи из KAIST и стартапа TDS Innovation показали метод EF-SCN, который подавляет случайное образование кристаллов 2D-полупроводников и оставляет рост только в геометрическом центре области. На подложке 2 см выход монокристаллов составил 99,3% (397 из 400 участков), а транзисторы на MoS₂ показали повышенную подвижность носителей. Коммерческое применение ожидается около 2030 года.

• Метод EF-SCN использует поток кислорода для подавления нуклеации вне центра области
• Выход монокристаллов — 397 из 400 участков на подложке 2 см (99,3%)
• Транзисторы на MoS₂ показали подвижность выше ранее опубликованных значений
• Коммерческое использование 2D-полупроводников ожидается около 2030 года