Моделирование стресса в GAA-транзисторах: неравномерность каналов

Инженеры Lam Semiverse Solutions с помощью SEMulator3D показали, что механический стресс в каналах GAA-нанотранзисторов распределяется неравномерно. Разница достигает 400–800 МПа в nFET против менее 200 МПа в pFET, а ключевой фактор — толщина верхнего канала.

• Неравномерность стресса в nFET достигает 400–800 МПа, в pFET — менее 200 МПа
• Наибольшее влияние оказывает толщина верхнего канала (Channel 3)
• Утолщение верхнего канала с 4 до 7 нм заметно снижает разброс стресса
• Неравномерность стресса искажает подвижность носителей, Vt и ток утечки