Samsung разрабатывает zNAND-T и zNAND-I для ИИ-нагрузок

Samsung, по данным ZDNET Korea, разрабатывает две новые линейки NAND-памяти: zNAND-T для пропускной способности и zNAND-I для производительности случайного ввода-вывода. Обе ориентированы на разные типы ИИ-нагрузок хранения данных.

• zNAND-T ориентирована на пропускную способность
• zNAND-I нацелена на случайный ввод-вывод
• Обе линейки предназначены для ИИ-нагрузок хранения
• Источник — отчёт ZDNET Korea