Учёные научились управлять точками роста 2D-полупроводников

Исследователи нашли способ контролировать места зарождения кристаллов 2D-полупроводников толщиной в несколько атомных слоёв. Это решает ключевую проблему при создании многослойных чипов для ИИ: раньше кристаллы росли в случайных точках, что мешало получать качественные материалы в нужных местах.

• 2D-полупроводники толщиной в несколько атомных слоёв перспективны для чипов ИИ
• Слои планируют наращивать поверх существующих вычислительных схем
• Случайное зарождение кристаллов мешало получать материал в нужных точках
• Новый метод задаёт места роста кристаллов