KAIST создал «универсальный инжектор заряда» для двух типов транзисторов

Команда KAIST использовала один материал для эффективной инжекции заряда в атомарно тонкие полупроводники. Технология позволит вертикально интегрировать ультратонкие слои, повышая плотность и энергоэффективность будущих ИИ-чипов.

• Один материал решает проблему инжекции заряда в атомарно тонких полупроводниках
• Подход применим к двум типам транзисторов одновременно
• Технология нацелена на вертикальную упаковку слоёв для роста плотности чипов