Китай создал GAA-транзисторы для 3-нм уровня на DUV-литографии

Китайская академия наук разработала GAA-транзисторы с соотношением включения/выключения выше 500 000, что теоретически даёт производительность уровня 3 нм на старых DUV-литографах. Однако ограничения MEOL-процесса позволяют SMIC достичь лишь плотности около 137,8 млн транзисторов на мм² — уровня 5-нм узла TSMC.

• Соотношение вкл/выкл у новых GAA-транзисторов превышает 500 000
• Транзисторы изготовлены на DUV-литографии без EUV
• Ограничения MEOL дают плотность около 137,8 млн тр/мм² — уровень 5 нм
• SMIC может перейти с 5-track на 4-track M0 для роста плотности