Samsung подтвердила разработку 4F² VCT DRAM в ответ на планы CXMT

Samsung подтвердила, что разрабатывает память DRAM по архитектуре 4F² VCT с вертикальным канальным транзистором, которая повышает плотность хранения. Заявление прозвучало на SEDEX 2026 после анонса китайской CXMT о выпуске серверной DRAM на 4F² до конца 2026 года, вызвавшего падение акций Samsung.

• 4F² VCT строит ячейки вертикально, увеличивая ёмкость на той же площади
• CXMT планирует серверную DRAM на 4F² до конца 2026 года
• После 4F² отрасль перейдёт к настоящей 3D DRAM
• Samsung уже показала zHBM и zNAND-O