CXMT планирует линию NAND-памяти в Пекине

ChangXin Memory Technologies готовит опытно-производственную линию NAND-флеш на новой площадке в Пекине, сообщает Reuters. Специалист по DRAM выйдет на территорию YMTC на фоне глобального дефицита памяти, который, по прогнозам, сохранится до 2027 года.

• CXMT планирует R&D-линию NAND-флеш в Пекине
• Компания опирается на пекинский институт с разработками NAND
• Дефицит памяти из-за ИИ-серверов сохранится минимум до 2027 года
• Сроки запуска и переход к массовому выпуску не определены