Micron пропускает поколение NAND и сразу переходит к G11

Micron пропустит поколение G10 и выпустит 3D-NAND G11 с более чем 400 слоями во второй половине 2027 года. По сравнению с G9 плотность битов удвоится, скорость ввода-вывода вырастет до 1,5 раза, а энергозатраты на передачу бита снизятся на 25%.

• G11 получит более 400 слоёв и wafer-on-wafer bonding
• Плотность битов вдвое выше G9, I/O быстрее до 1,5 раза
• Передача бита требует на 25% меньше энергии
• Серийный выпуск G11 запланирован на вторую половину 2027 года