Китайские учёные создали сегнетоэлектрический туннельный переход с рекордным TER

Институт полупроводников КАН и партнёры построили туннельный переход на скользящем сегнетоэлектрике Cr/h-BN/3R-MoS2/графен. При напряжении чтения 0,5 В достигнут коэффициент туннельного электросопротивления 1,9×10^7 и выносливость свыше 10^11 переключений. Результаты опубликованы в Science.

• TER 1,9×10^7 при 0,5 В — на четыре порядка выше прежних аналогов
• Выносливость более 10^11 переключений, переключение от 13 нс при 6,5 фДж/бит
• Плотность тока во включённом состоянии 222 А/см²
• Массив 8×8 показал стабильное энергонезависимое поведение всех 64 ячеек