Китай создал рабочие 3-нм GAA-транзисторы без EUV

Институт микроэлектроники КАН (IMECAS) разработал экспериментальный техпроцесс для stacked-nanosheet GAA-транзисторов на иммерсионной DUV-литографии и получил рабочие устройства. Соотношение Ion/Ioff составило 9,7×10⁵ и 7,6×10⁵ при пороге 5×10⁵, но ключевые геометрические параметры и полноценный 3-нм техпроцесс не раскрыты.

• IMECAS получила рабочие GAA-транзисторы на DUV-литографии без EUV
• Ion/Ioff достиг 9,7×10⁵ и 7,6×10⁵ при пороге 5×10⁵
• Геометрия, плотность транзисторов и SRAM не раскрыты
• До производственного 3-нм техпроцесса ещё далеко