CXMT запустила массовое производство DRAM по техпроцессу G5

Китайская CXMT начала массовый выпуск памяти по 5-му поколению техпроцесса G5: полушаг активной области снижен до 11,95 нм с четырёхкратным патернированием, а высота массива ячеек уменьшена до 6762 нм благодаря HKMG. Первые изделия — 24-Гбит LPDDR5X с на 50% большей ёмкостью, они уже идут в китайские флагманские смартфоны.

• Полушаг активной области G5 — 11,95 нм, шаг 23,9 нм
• Высота массива ячеек снижена до 6762 нм через HKMG
• Соотношение сторон конденсаторов — около 45:1
• Первые чипы — 24-Гбит LPDDR5X, на 50% ёмче предыдущих