Транзисторы из монослоя MoS2 с каналом менее 5 нм изготовили на 4-дюймовой пластине

Исследователи из CMU, Университета Флориды, MIT и Texas A&M опубликовали в Nature Communications работу о транзисторах на монослое MoS2 с длиной канала менее 5 нм. Устройства показали крутизну подпороговой характеристики 88 мВ/дек и отношение токов вкл/выкл выше 10^6, превзойдя теоретический предел кремния, а процесс совместим с CMOS и масштабируется на 4-дюймовую пластину.

• Длина канала транзисторов — менее 5 нм на монослое MoS2
• Крутизна подпороговой характеристики 88 мВ/дек, отношение вкл/выкл выше 10^6
• Показатели превосходят теоретический предел кремния
• CMOS-совместимый процесс масштабирован на 4-дюймовую пластину