Samsung переводит DRAM младше 10 нм на гибридную сборку

Samsung пересмотрела дорожную карту первого поколения DRAM младше 10 нм: базовой для процесса D0a стала архитектура гибридной сборки пластина-к-пластине, а дизайн транзистора с вертикальным каналом (VCT) вынесен в отдельный вариант D0a-V.

• Базовой для процесса D0a стала гибридная сборка пластина-к-пластине
• Дизайн VCT вынесен в отдельный вариант D0a-V
• Речь о первом поколении DRAM младше 10 нм