Корейская ассоциация: Китай отстаёт от Запада на 1 год в NAND и 2 года в DRAM
Korea Semiconductor Industry Association оценила разрыв Китая и Запада в памяти: 1 год в NAND, 2 года в DRAM и 3 года в HBM. YMTC выпускает 270-слойную NAND против 300 слоёв у Samsung и SK hynix, а к 2027 году перейдёт на 400 слоёв. CXMT начала выпуск DDR5 в 2025 году и уже осваивает LPDDR6, но выход HBM3E составляет лишь около 25%.