Samsung меняет план DRAM: B1b hybrid bonding для D0a и HBM5

Samsung Electronics пересматривает дорожную карту DRAM следующего поколения: технология wafer-to-wafer hybrid bonding B1b переведена из проектной разработки в основу D0a — первой DRAM с техпроцессом менее 10 нм. Приоритет также отдан HBM5.

• B1b hybrid bonding стал ключевой технологией для D0a — первой sub-10nm DRAM Samsung
• Технология переведена из проектной разработки в основу дорожной карты
• Приоритет отдан также памяти HBM5
• Samsung пересматривает план выпуска DRAM следующего поколения