Renesas представила 650-В GaN-прибор с двусторонним охлаждением для ИИ-дата-центров

Renesas выпустила 650-В GaN-прибор TP65H020G4PLSGBD с двусторонним охлаждением для преобразования энергии в стойках ИИ-дата-центров мощностью до мегаватта. Сопротивление во включённом состоянии — 20 мОм, корпус PQFN 8×8 мм на 57% меньше прежнего TOLT 10×15 мм, тепловое сопротивление сверху снижено на 10%.

• Сопротивление во включённом состоянии — 20 мОм, одно из лучших в классе
• Корпус PQFN 8×8 мм на 57% меньше TOLT 10×15 мм
• Тепловое сопротивление сверху снижено на 10% за счёт двустороннего охлаждения
• Прибор проверен на референсном дизайне 6 кВт 800 В → 48 В, показ на OCP Global Summit 12–15 октября 2026