GaN выигрывает в энергетике для ИИ-дата-центров, но проигрывает по цене

Нитрид галлия (GaN) становится ключевым силовым полупроводником для ИИ-дата-центров: рост мощности стоек и переход на более высокие напряжения требуют повышения КПД и плотности мощности. Пока технология уступает конкурентам по стоимости.

• GaN применяют в силовых схемах ИИ-дата-центров из-за роста мощности стоек
• Переход на высоковольтные архитектуры требует высокой плотности мощности
• GaN пока проигрывает по цене другим силовым полупроводникам