MemSilicon выпустила 28-нм RRAM-чип MountTai 2026 на 1 Гбит

Китайский стартап MemSilicon завершил 12 октября tape-out первого поколения высокоплотной RRAM-памяти MountTai 2026. Чип на 28-нм CMOS с ячейкой 1T4R даёт 1 Гбит на кристалл, плотность 30 Мбит/мм² и задержку доступа менее 20 нс. Компания называет его первым в мире высокоплотным RRAM-чипом такого класса, независимой проверки нет.

• Tape-out завершён 12 октября, чип проходит валидацию
• 28-нм CMOS, структура 1T4R: один транзистор на четыре ячейки
• 1 Гбит на кристалл, плотность 30 Мбит/мм², задержка менее 20 нс
• Встроена аппаратная коррекция ошибок, целевые рынки — SoC, ИИ-ПК и embodied AI