SK Hynix представила 3D Stacked DRAM поверх чипов с выпуском в 2028 году

SK Hynix на SEDEX 2026 раскрыла архитектуру 3D Stacked DRAM: кристаллы DRAM крепятся прямо на кристалл процессора через TSV, без кремниевого интерпозера, что даёт большую пропускную способность и меньшее энергопотребление. Массовое производство запланировано на 2028 год, разрабатывается конфигурация на 16 активных кристаллов.

• DRAM монтируется прямо на GPU/NPU через TSV, интерпозер 2.5D не нужен
• Цель — массовое производство в 2028 году, конфигурация на 16 кристаллов
• SK Hynix ждёт роста требований к ИИ-инфраструктуре в 19–20 раз к 2030 году
• Стандарт HBF в OCP планируют завершить к январю 2027 года