Nvidia свела Samsung и TSMC для выпуска base die кастомной HBM на 3 нм

Nvidia попросила Samsung, Micron и SK hynix выпускать base die для своей кастомной памяти NVHBM на 3-нм процессе TSMC, а core die — на 1c DRAM. Samsung впервые отказалась от «подходного» подхода и согласилась, сохранив свой завод как запасной вариант. Nvidia обещает до 30% больше пропускной способности и на 15% меньше энергопотребления, чем у HBM4E.

• Base die для NVHBM будут делать на 3-нм техпроцессе TSMC
• Core die переведут на шестое поколение DRAM (1c)
• Nvidia обещает +30% пропускной способности и −15% энергопотребления к HBM4E
• Убыток фабричного направления Samsung сократился с 6,74 до 3,92 трлн вон