SK hynix обсуждает массовое производство памяти iHBM с охлаждением на 30% эффективнее

SK hynix начала переговоры с поставщиками материалов и оборудования о массовом производстве памяти iHBM. Технология встраивает охлаждающие элементы ICE в физический слой D2D, снижая тепловое сопротивление примерно на 30%. iHBM планируют применять в чипах HBM5 после освоения HBM4.

• iHBM снижает тепловое сопротивление HBM-стека примерно на 30%
• Охлаждающие элементы ICE встраиваются в слой D2D PHY
• Технологию планируют использовать в памяти HBM5
• Для iHBM сохранят технологию упаковки MR-MUF