Micron раскрыла планы: DDR6 вдвое быстрее DDR5, LPDDR6 на 35% экономичнее

Micron представила дорожную карту памяти на техпроцессе 1δ: DDR6 удвоит пропускную способность относительно DDR5, LPDDR6 даст до 35% прироста энергоэффективности. Компания также готовит вертикальную vHBM, 1-ТБ RDIMM и NAND G11 с более чем 400 слоями, выход в серию — во второй половине 2027 года.

• DDR6 обеспечит вдвое большую пропускную способность, чем DDR5
• LPDDR6 на 35% экономичнее LPDDR5 по энергопотреблению
• NAND G11 получит более 400 слоёв и выйдет в серию во 2П 2027 года
• Micron готовит 1-ТБ RDIMM и вертикальную vHBM