Симуляция предсказала 10 000-кратный рост мощности терагерцового GaN-транзистора

Численное исследование N-polar GaN-транзисторов с плазменной неустойчивостью Дьяконова — Шура предсказывает до 1300 мкВт терагерцового излучения при комнатной температуре на затворе 100 нм. Это в сотни раз выше рекорда для Ga-polar структур (менее 2 мкВт). Работа учёных из CAS Suzhou, NJUST и UESTC опубликована в Frontiers of Optoelectronics.

• N-polar структура даёт плотность 2DEG до 5,3×10¹³ см⁻² против 1–2×10¹³ у Ga-polar
• Контактное сопротивление N-polar снижено до 0,16 Ом·мм против 0,27–0,35 Ом·мм
• При затворе 250 нм плазменные колебания полностью затухают
• Утолщение канала с 20 до 40 нм сдвигает частоту вверх примерно на 0,6 ТГц