Micron анонсировала 3D NAND G11: более 400 слоёв и вдвое плотнее G9

Micron представила 3D NAND поколения G11, пропустив G10. Память получит более 400 слоёв, примерно вдвое большую плотность битов по сравнению с G9 и интерфейс до 50% быстрее.

• Более 400 слоёв в 3D NAND G11
• Плотность битов примерно вдвое выше, чем у G9
• Интерфейс до 50% быстрее
• Поколение G10 пропущено — в отрасли это обычная практика