Micron G11 3D NAND: более 400 слоёв и плотность 42 Гбит/мм²

Micron готовит 3D NAND G11 с более чем 400 слоями, плотностью около 42 Гбит/мм² и интерфейсом до 5400 МТ/с. Передача данных до 50% быстрее, энергопотребление на бит ниже на 25%. Производство начнётся во втором полугодии 2027 года, поколение G10 пропущено.

• Плотность 42 Гбит/мм² против текущего поколения G9
• Интерфейс до 5400 МТ/с и на 25% меньше энергии на бит
• Производство G11 стартует во втором полугодии 2027 года
• Micron пропускает поколение G10 и переходит с G9 сразу на G11