Renesas начала поставки 650-В GaN-транзистора с двусторонним охлаждением

Renesas начала сэмплирование TP65H020G4PLSGBD — первого в отрасли 650-В GaN FET с двусторонним охлаждением для преобразователей в 800-В HVDC-стойках ИИ-дата-центров. Сопротивление открытого канала 20 мОм, корпус PQFN 8×8 мм на 57% меньше TOLT 10×15 мм, серийное производство — середина 2027 года.

• Сопротивление открытого канала 20 мОм — одно из самых низких в классе
• Двустороннее охлаждение снижает тепловое сопротивление сверху на 10%
• Корпус PQFN 8×8 мм на 57% меньше TOLT 10×15 мм
• Серийный выпуск запланирован на середину 2027 года