TSMC и ASML переходят на 12-дюймовые фотошаблоны для High-NA EUV

TSMC и ASML изучают переход на 12-дюймовые фотошаблоны, чтобы раскрыть полный потенциал литографии High-NA EUV. Технология нужна для узлов 2 нм и ангстремного класса, где 1 нм равен 10 Å.

• 12-дюймовые фотошаблоны нужны для полного поля High-NA EUV
• Технология ориентирована на узлы 2 нм и ангстремного класса
• 1 нм равен 10 Å в ангстремной шкале
• TSMC и ASML работают над переходом совместно