ИИ-стойки выходят на мегаваттный уровень: SiC, GaN и кремний делят роли в питании

Рост ИИ-инфраструктуры требует более высоких мощностей и напряжений, из-за чего разработка силовых полупроводников смещается к росту КПД, плотности мощности и интеграции. SiC, GaN и кремний начинают разделять роли в системах питания стоек.

• ИИ-стойки приближаются к мегаваттному уровню энергопотребления
• SiC, GaN и кремний делят роли в цепочке питания
• Приоритеты разработки — КПД, плотность мощности и интеграция