Renesas выпустила первые 100-В GaN-транзисторы с рекордно низким FOM

Renesas представила семейство 100-В E-mode GaN-транзисторов RTP100E005G1FL, RTP100E2P6G1FL, RTP100E1P8G1FL-DSC и RTP100E1P2G1FL-DSC. Устройства дают до 35% ниже hard-switching FOM и до 63% ниже soft-switching FOM, сопротивление открытого канала — от 5 до 1,2 мОм. Транзисторы уже доступны и нацелены на ИИ-дата-центры, робототехнику и промышленную автоматизацию.

• Семейство из четырёх 100-В GaN-транзисторов с сопротивлением от 5 до 1,2 мОм
• Hard-switching FOM ниже до 35%, soft-switching FOM — до 63%
• Потери переключения ниже на 40–70%, плотность мощности выше вдвое
• Корпуса FCLGA совместимы с разводкой кремниевых MOSFET