NEMS-затвор повысит плотность и энергоэффективность встроенной eDRAM

Исследователи UC Berkeley, Samsung и Intel опубликовали работу о gain-cell eDRAM с наноэлектромеханическим затвором. Решение призвано устранить ограниченное удержание заряда, паразитную связь и необходимость повышенного напряжения записи обычных gain-cell.

• Работа опубликована в IEEE JXCDC, стр. 223–230, 2026 год
• NEMS-затвор заменяет транзистор доступа в gain-cell eDRAM
• Цель — высокая плотность и энергоэффективность при лучшем удержании
• Авторы: Finnan, Rhee, Ghani и King-Liu