Самоцентрируемая CFET обещает масштабирование CMOS за пределами 10 Å

Semiverse Solutions смоделировала в SEMulator3D самоцентрируемую архитектуру CFET с вертикальной укладкой NMOS и PMOS. Она даёт бит-ячейку SRAM 0,0094 мкм² — на 52,7% меньше, чем у N3, и окно совмещения не менее 10 нм для критических контактных слоёв.

• Бит-ячейка SRAM 0,0094 мкм²: на 52,7% меньше N3 и на 19% меньше A7 CFET
• Три самоцентрируемых модуля: BPR, контакты и TSV расширяют окно совмещения
• Окно совмещения не менее 10 нм без обрывов и замыканий
• Архитектура совместима с N3: шаг контактов 42 нм, шаг металла 21 нм