Atomera и IQE договорились о совместной разработке RF GaN на кремнии

Atomera и IQE заключили соглашение о совместной разработке (JDA) для вывода на рынок высокопроизводительного и недорогого RF GaN. Партнёры проверят эпитаксию GaN на кремниевых пластинах Atomera с технологией MST, начав с RF GaN-on-silicon и оставив возможность перейти к силовой электронике.

• JDA охватывает эпитаксию GaN на кремниевых пластинах с технологией MST от Atomera
• Первоначальный фокус — RF GaN-on-silicon для массовых RF-рынков
• Цель — лучшие в классе линейность и потери
• Стороны допускают расширение работ на силовую электронику