Micron пропустит G10: NAND G11 с 400+ слоями выйдет во 2П 2027

Micron раскрыла следующий узел NAND — G11, минуя G10. Он получит более 400 слоёв, wafer-on-wafer-бондинг, вдвое большую плотность бит по сравнению с G9, до 1,5x скорости I/O и на 25% меньше энергии на передачу бита; серийный выпуск — во втором полугодии 2027 года.

• Более 400 слоёв и wafer-on-wafer-бондинг вместо монолитного стека
• Плотность бит вдвое выше G9, I/O до 1,5x, энергия на бит ниже на 25%
• Серийный выпуск G11 запланирован на второе полугодие 2027 года
• Micron заявляет о будущих SSD для ЦОД ёмкостью до 512 ТБ