ETH Zurich и NYU измерили энергопотребление реальных чипов HBM2

Исследователи ETH Zürich и NYU опубликовали работу с первой комплексной экспериментальной характеризацией энергопотребления реальных чипов HBM2 DRAM. Операция чтения потребляет заметно больший ток, а переключение всех внутренних шин bank group даёт на 29,4% больше мощности; подобранный паттерн доступа повысил потребление в среднем на 23,6% на 36 чипах.

• Первая экспериментальная характеризация мощности реальных чипов HBM2 DRAM
• Чтение потребляет существенно больший ток, чем другие операции
• Переключение всех шин bank group даёт на 29,4% больше мощности
• Паттерн доступа дал +23,6% мощности в среднем на 36 чипах HBM2