Транзисторы создали прямо в монослое дителлурида вольфрама

Исследователи под руководством Сок Ён Мина превратили участки монослоя WTe2 в изолятор WOx и области n-типа WS2 и p-типа WSe2, получив работающие MOSFET без нанесения дополнительных материалов. Метод позволяет формировать структуры на атомном масштабе и потенциально достигать плотности выше кремниевой технологии.

• Участки монослоя WTe2 окислили до WOx и превратили в WS2 и WSe2
• Получены работающие MOSFET n- и p-типа без нанесения слоёв
• Метод масштабируется до атомного уровня и обещает плотность выше кремниевой
• Похожие опыты ведутся с монослоями MoSe2 и графеном