Micron перейдёт на wafer bonding и High-NA EUV для DRAM

Micron раскрыла план развития DRAM: процесс 1δ выйдет в серию во второй половине 2027 года с ростом плотности на ~20%, затем в 1ε появится wafer bonding, а в поколениях ζÅ и ηÅ — High-NA EUV и новые материалы. Компания также разрабатывает вертикальную память vHBM и vEIM с пропускной способностью от 2 ТБ/с.

• 1δ выйдет в серию во второй половине 2027 года с ростом плотности на ~20%
• Wafer bonding появится в процессе 1ε, High-NA EUV — в поколении ζÅ
• vEIM первого поколения обещает 2 ТБ/с при энергозатратах менее 1 пДж/бит
• 3D DRAM (3D1 и 3D2) внедрят, когда выиграет по стоимости и производительности