Lam Research и imec показали 100% выход рутениевых межсоединений на high-NA EUV

Lam Research и imec достигли 100% электрического выхода рутениевых структур прямой металлической травки с шагом 20 нм за одну экспозицию high-NA EUV. Результат подтверждает пригодность платформы сухого резиста Lam Aether для серийного производства чипов ниже 2 нм.

• 100% выход на тестовых структурах fork при шаге 20 нм за одну экспозицию high-NA EUV
• Свыше 90% выхода на структурах meander при том же шаге 20 нм
• Работы велись на установке ASML EXE:5200 в исследовательском центре imec в Лёвене
• Сотрудничество Lam и imec расширено на 3D-интеграцию и память новых архитектур